<del id='bcdda'></del><center id='bcdda'><option id='bcdda'></option></center>
  • 
           
            

    1. 
           
    2. <bdo id='bcdda'><tbody id='bcdda'></tbody></bdo> <tbody id='bcdda'></tbody>

    3. 
      			
      			
      			
      			
      			
      			
      			
      			
        <dfn id='bcdda'><blockquote id='bcdda'><dd id='bcdda'><noframes id='bcdda'>

        <button id='bcdda'></button>

        1. 
               
                   
          
          			
          			
          			
          			
          				
          			
          			
          					

          <li id='bcdda'></li><dl id='bcdda'></dl>
          
          			
          			

            
            				
        2. 
                

          文章来源:老有棋牌    发布时间: 2019-07-17 16:23:47  【字号:      】

          棋牌游戏可以提现的跑得快【微信:niuniuexo】冠军棋牌小编为大家带来了几款人气最旺的棋牌游戏,各种现金玩法带你体验轻松的赚钱乐趣,信誉好、提现速度快,心动的玩家快来下载试试吧!江西黑猫炭黑股份有限公司关于受让控股子公司股权的公告 _

           

          英飞凌OptiMOS™3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。贝客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™BiC功率MOSFET产品信息。

          由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。连线此外,通管壳(Junction to Case (RthJC))的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

          这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的增加,安全工作区域(SAO)亦改善了20%。黄金

          这些BiC MOSFET具有出色的性能数据,非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。上游英飞凌OptiMOS™BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。项目




          (责任编辑:士剑波)

          统计代码